IGD01N120H2BUMA1
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| Teilenummer | IGD01N120H2BUMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGD01N120H2BUMA1 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.050 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGD01N120H2BUMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGD01N120H2BUMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IGD01N120H2BUMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3.2A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 3.5A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
| Leistung - max | 28W |
| Schaltenergie | 140µJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 8.6nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/370ns |
| Testbedingung | 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall 36-DIP Module, 24 Leads Lieferantengerätepaket DIP 36x23D |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 5A Leistung - max 140W Schaltenergie 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/190ns Testbedingung 850V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 50A Leistung - max 750W Schaltenergie 3mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/133ns Testbedingung 600V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 45A Leistung - max 300W Schaltenergie 15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 165nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 80ns/400ns Testbedingung 800V, 45A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
