IGW50N65F5AXKSA1
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| Teilenummer | IGW50N65F5AXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGW50N65F5AXKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 650V TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.092 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 19 - Jul 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGW50N65F5AXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGW50N65F5AXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
IGW50N65F5AXKSA1, IGW50N65F5AXKSA1 Datenblatt
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IGW50N65F5AXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 270W |
| Schaltenergie | 490µJ (on), 140µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 108nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 21ns/156ns |
| Testbedingung | 400V, 25A, 12Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A Leistung - max 100W Schaltenergie 630µJ (on), 1.39mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/230ns Testbedingung 480V, 17A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 166W Schaltenergie 140µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 63nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/108ns Testbedingung 400V, 20A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 166ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 97nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/65ns Testbedingung 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
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