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IGW50N65H5AXKSA1

IGW50N65H5AXKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGW50N65H5AXKSA1
PNEDA Teilenummer IGW50N65H5AXKSA1
Beschreibung IGBT 650V TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.436
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 17 - Jun 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IGW50N65H5AXKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGW50N65H5AXKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IGW50N65H5AXKSA1, IGW50N65H5AXKSA1 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.844,82 KB)
PDFIGW50N65H5AXKSA1 Datenblatt Cover
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IGW50N65H5AXKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Leistung - max270W
Schaltenergie450µJ (on), 160µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge116nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/173ns
Testbedingung400V, 25A, 12Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Leistung - max

60W

Schaltenergie

85µJ (on), 95µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

HB

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

363µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/142ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

125A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 55A

Leistung - max

460W

Schaltenergie

5.1mJ (on), 13.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

185nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/365ns

Testbedingung

960V, 55A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 35A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

900µJ (on), 3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/270ns

Testbedingung

960V, 35A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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ISOPLUS247™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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