IGW50N65H5AXKSA1
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| Teilenummer | IGW50N65H5AXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGW50N65H5AXKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 650V TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGW50N65H5AXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGW50N65H5AXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
IGW50N65H5AXKSA1, IGW50N65H5AXKSA1 Datenblatt
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IGW50N65H5AXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 270W |
| Schaltenergie | 450µJ (on), 160µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 116nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 21ns/173ns |
| Testbedingung | 400V, 25A, 12Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max 75W Schaltenergie 60µJ (on), 50µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/116ns Testbedingung 400V, 4A, 43Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie HB IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 283W Schaltenergie 363µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/142ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 125A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 400A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 55A Leistung - max 460W Schaltenergie 5.1mJ (on), 13.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 185nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/365ns Testbedingung 960V, 55A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 50A Leistung - max 223W Schaltenergie 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 310nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 117ns/285ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 77ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
