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IHW30N120R2

IHW30N120R2

Nur als Referenz

Teilenummer IHW30N120R2
PNEDA Teilenummer IHW30N120R2
Beschreibung IGBT 1200V 60A 390W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.190
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IHW30N120R2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIHW30N120R2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IHW30N120R2, IHW30N120R2 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 960,41 KB)
PDFIHW30N120R2 Datenblatt Cover
IHW30N120R2 Datenblatt Seite 2 IHW30N120R2 Datenblatt Seite 3 IHW30N120R2 Datenblatt Seite 4 IHW30N120R2 Datenblatt Seite 5 IHW30N120R2 Datenblatt Seite 6 IHW30N120R2 Datenblatt Seite 7 IHW30N120R2 Datenblatt Seite 8 IHW30N120R2 Datenblatt Seite 9 IHW30N120R2 Datenblatt Seite 10 IHW30N120R2 Datenblatt Seite 11

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IHW30N120R2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypNPT, Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 30A
Leistung - max390W
Schaltenergie3.1mJ
EingabetypStandard
Gate Charge198nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/792ns
Testbedingung600V, 30A, 28Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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NGTB60N60SWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

1.41mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

173nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

87ns/180ns

Testbedingung

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

76ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

104A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

480A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

484W

Schaltenergie

6.5mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/123ns

Testbedingung

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

NGD8201NT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

APT50GN120L2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

134A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

4495µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/320ns

Testbedingung

800V, 50A, 2.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 30A

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Reverse Recovery Time (trr)

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