IKB20N60TAATMA1
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| Teilenummer | IKB20N60TAATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKB20N60TAATMA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 40A TO263-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.724 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 12 - Jul 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IKB20N60TAATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKB20N60TAATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
IKB20N60TAATMA1, IKB20N60TAATMA1 Datenblatt
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IKB20N60TAATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 156W |
| Schaltenergie | 310µJ (on), 460µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 120nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/199ns |
| Testbedingung | 600V, 20A, 12Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 41ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 29A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 2.4V, 2.5A Leistung - max 29W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/650ns Testbedingung 300V, 2.5A, 51Ohm, 4V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 63A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max 203W Schaltenergie 525µJ (on), 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 165nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/155ns Testbedingung 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 60A Leistung - max 298W Schaltenergie 1.81mJ (on), 810µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/130ns Testbedingung 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 47ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
