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IKD03N60RFATMA1

IKD03N60RFATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKD03N60RFATMA1
PNEDA Teilenummer IKD03N60RFATMA1
Beschreibung IGBT 600V 6.5A TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.366
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKD03N60RFATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD03N60RFATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKD03N60RFATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6.5A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)7.5A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 2.5A
Leistung - max53.6W
Schaltenergie50µJ (on), 40µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge17.1nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.10ns/128ns
Testbedingung400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)31ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

833W

Schaltenergie

8045µJ (on), 7640µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

425nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/620ns

Testbedingung

800V, 75A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

IKW40N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

483W

Schaltenergie

4.4mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

185nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/290ns

Testbedingung

600V, 40A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

355ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

STGB3HF60HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

19µJ (on), 12µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/60ns

Testbedingung

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

160µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

97nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/65ns

Testbedingung

300V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

Leistung - max

36W

Schaltenergie

290µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/94ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

298ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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