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IKD03N60RFATMA1

IKD03N60RFATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKD03N60RFATMA1
PNEDA Teilenummer IKD03N60RFATMA1
Beschreibung IGBT 600V 6.5A TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.366
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IKD03N60RFATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD03N60RFATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKD03N60RFATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6.5A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)7.5A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 2.5A
Leistung - max53.6W
Schaltenergie50µJ (on), 40µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge17.1nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.10ns/128ns
Testbedingung400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)31ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

178A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

460A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

1500W

Schaltenergie

8.7mJ (on), 5.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

260nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/180ns

Testbedingung

850V, 50A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

44ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

483W

Schaltenergie

4.4mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

185nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/290ns

Testbedingung

600V, 40A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

355ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

STGB3HF60HD

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

19µJ (on), 12µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/60ns

Testbedingung

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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D2PAK

GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

35A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 35A

Leistung - max

-

Schaltenergie

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

800V, 35A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

36ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AB

IXGH20N160

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

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-

Eingabetyp

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Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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