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IKD10N60R

IKD10N60R

Nur als Referenz

Teilenummer IKD10N60R
PNEDA Teilenummer IKD10N60R
Beschreibung IGBT 600V 20A 150W TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.060
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 18 - Jul 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKD10N60R Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD10N60R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKD10N60R, IKD10N60R Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.854,93 KB)
PDFIKU10N60RBKMA1 Datenblatt Cover
IKU10N60RBKMA1 Datenblatt Seite 2 IKU10N60RBKMA1 Datenblatt Seite 3 IKU10N60RBKMA1 Datenblatt Seite 4 IKU10N60RBKMA1 Datenblatt Seite 5 IKU10N60RBKMA1 Datenblatt Seite 6 IKU10N60RBKMA1 Datenblatt Seite 7 IKU10N60RBKMA1 Datenblatt Seite 8 IKU10N60RBKMA1 Datenblatt Seite 9 IKU10N60RBKMA1 Datenblatt Seite 10 IKU10N60RBKMA1 Datenblatt Seite 11

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IKD10N60R Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)30A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 10A
Leistung - max150W
Schaltenergie590µJ
EingabetypStandard
Gate Charge64nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14ns/192ns
Testbedingung400V, 10A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)62ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/127ns

Testbedingung

960V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

STGB14NC60KDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

82µJ (on), 155µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22.5ns/116ns

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

FGB40N60SM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

870µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

119nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/92ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

NGTB25N120IHLWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/235ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/200ns

Testbedingung

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264AA(IXSK)

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L7905CV-DG

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IC REG LINEAR -5V 1.5A TO220

F55J25R

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RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

BH1726NUC-E2

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SENSOR OPT AMBIENT WSON008X2120

RT0603DRD07200RL

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RES SMD 200 OHM 0.5% 1/10W 0603

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

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SMBJ6V5A

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TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

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RB481KTL

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