IKD15N60RFAATMA1
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| Teilenummer | IKD15N60RFAATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKD15N60RFAATMA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 17 - Jul 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IKD15N60RFAATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKD15N60RFAATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
IKD15N60RFAATMA1, IKD15N60RFAATMA1 Datenblatt
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IKD15N60RFAATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 240W |
| Schaltenergie | 270µJ (on), 250µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 90nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/160ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 15Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 74ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20.3A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A Leistung - max 45W Schaltenergie 630µJ (on), 1.39mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/230ns Testbedingung 480V, 17A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 22A Leistung - max 140W Schaltenergie 230µJ (on), 290µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/80ns Testbedingung 300V, 22A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 7V @ 15V, 5A Leistung - max 70W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 34nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 960V, 5A, 27Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
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