Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IKI04N60TXKSA1

IKI04N60TXKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKI04N60TXKSA1
PNEDA Teilenummer IKI04N60TXKSA1
Beschreibung IGBT 600V 8A 42W TO262-3
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.436
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKI04N60TXKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKI04N60TXKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IKI04N60TXKSA1, IKI04N60TXKSA1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 499,5 KB)
PDFIKI04N60TXKSA1 Datenblatt Cover
IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 2 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 3 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 4 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 5 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 6 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 7 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 8 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 9 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 10 IKI04N60TXKSA1 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IKI04N60TXKSA1 Datasheet
  • where to find IKI04N60TXKSA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IKI04N60TXKSA1
  • IKI04N60TXKSA1 PDF Datasheet
  • IKI04N60TXKSA1 Stock

  • IKI04N60TXKSA1 Pinout
  • Datasheet IKI04N60TXKSA1
  • IKI04N60TXKSA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IKI04N60TXKSA1 Price
  • IKI04N60TXKSA1 Distributor

IKI04N60TXKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 4A
Leistung - max42W
Schaltenergie143µJ
EingabetypStandard
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14ns/164ns
Testbedingung400V, 4A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)28ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
LieferantengerätepaketPG-TO262-3-1

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STGW35NB60S

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

840µJ (on), 7.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

83nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

92ns/1.1µs

Testbedingung

480V, 20A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGB8NC60KDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 24A

Leistung - max

90W

Schaltenergie

550µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

39nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/150ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

36ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3P

SGP20N60HSXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 20A

Leistung - max

178W

Schaltenergie

690µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/207ns

Testbedingung

400V, 20A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

IRG7PK42UD1-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Kürzlich verkauft

XC6SLX9-2TQG144C

XC6SLX9-2TQG144C

Xilinx

IC FPGA 102 I/O 144TQFP

SS14-E3/61T

SS14-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

NDT454P

NDT454P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223

DLP11TB800UL2L

DLP11TB800UL2L

Murata

CMC 100MA 2LN 80 OHM SMD

TSH82IYDT

TSH82IYDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

SMBJ15A-13-F

SMBJ15A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 15V 24.4V SMB

ATSAM3X8EA-AU

ATSAM3X8EA-AU

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP

AD7626BCPZ

AD7626BCPZ

Analog Devices

IC ADC 16BIT SAR 32LFCSP-WQ

LTM4608AMPY

LTM4608AMPY

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5V 8A

CM453232-3R3KL

CM453232-3R3KL

Bourns

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

NCN8025AMNTXG

NCN8025AMNTXG

ON Semiconductor

IC SMART CARD IC2 24-QFN

GD25Q80CSIG

GD25Q80CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH