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IKP15N60TXKSA1

IKP15N60TXKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKP15N60TXKSA1
PNEDA Teilenummer IKP15N60TXKSA1
Beschreibung IGBT 600V 30A 130W TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 16.764
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IKP15N60TXKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKP15N60TXKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKP15N60TXKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 15A
Leistung - max130W
Schaltenergie570µJ
EingabetypStandard
Gate Charge87nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/188ns
Testbedingung400V, 15A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)34ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketPG-TO220-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.67V @ 15V, 40A

Leistung - max

231W

Schaltenergie

989µJ (on), 310µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/271ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

89ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IKP08N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

70µJ (on), 20µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/116ns

Testbedingung

400V, 4A, 48Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IRG4BC30F-STRRP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

230µJ (on), 1.18mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/200ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 60A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/320ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

AOT15B60D

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

420µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/73ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

196ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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