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IKW30N65EL5XKSA1

IKW30N65EL5XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKW30N65EL5XKSA1
PNEDA Teilenummer IKW30N65EL5XKSA1
Beschreibung IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 14.400
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IKW30N65EL5XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKW30N65EL5XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKW30N65EL5XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™ 5
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)85A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.35V @ 15V, 30A
Leistung - max227W
Schaltenergie470µJ (on), 1.35mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge168nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.33ns/308ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

192A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/160ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

STGP6M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

88W

Schaltenergie

40µJ (on), 136µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/86ns

Testbedingung

400V, 6A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 32A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

89nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IHW15N120E1XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

156W

Schaltenergie

300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IXGP20N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

150µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/150ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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