IPD50R280CEATMA1
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| Teilenummer | IPD50R280CEATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPD50R280CEATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.958 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPD50R280CEATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPD50R280CEATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPD50R280CEATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ CE |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 13A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.2A, 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 773pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 119W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Sanken Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 31A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 15.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.7nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 37W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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