IPD80R3K3P7ATMA1
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| Teilenummer | IPD80R3K3P7ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPD80R3K3P7ATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.878 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPD80R3K3P7ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPD80R3K3P7ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
IPD80R3K3P7ATMA1, IPD80R3K3P7ATMA1 Datenblatt
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IPD80R3K3P7ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 590mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 500V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 18W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta), 51A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2175pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PDFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.9nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 219pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1954pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Ta), 104A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4270pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.4W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PQFN (5x6) Single Die Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.15mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1524pF @ 12.5V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 69W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK33 Paket / Fall SOT-1210, 8-LFPAK33 |
