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IPG20N06S4L14ATMA2

IPG20N06S4L14ATMA2

Nur als Referenz

Teilenummer IPG20N06S4L14ATMA2
PNEDA Teilenummer IPG20N06S4L14ATMA2
Beschreibung MOSFET 2N-CH 8TDSON
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.208
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IPG20N06S4L14ATMA2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPG20N06S4L14ATMA2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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IPG20N06S4L14ATMA2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2890pF @ 25V
Leistung - max50W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPG-TDSON-8-4

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1154pF @ 20V

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7509TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 25V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

Micro8™

APTC60AM83B1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

83mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

2N7002V-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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