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IPI60R600CPAKSA1

IPI60R600CPAKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IPI60R600CPAKSA1
PNEDA Teilenummer IPI60R600CPAKSA1
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.436
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IPI60R600CPAKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPI60R600CPAKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IPI60R600CPAKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieCoolMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 220µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds550pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)60W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketPG-TO262-3
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.13W (Ta), 64W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

240W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20.5A (Ta), 140A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

224nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11135pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (Max)

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Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

135W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Lieferantengerätepaket

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