IPP14N03LA
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| Teilenummer | IPP14N03LA |
| PNEDA Teilenummer | IPP14N03LA |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.858 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPP14N03LA Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPP14N03LA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IPP14N03LA Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1043pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 46W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 71W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 45W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket IPAK (TO-251) Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 800mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 10V FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 100W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263HV Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Vishay Siliconix Serie LITTLE FOOT® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Ta), 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1040pF @ 15V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
