IPT015N10N5ATMA1
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Teilenummer | IPT015N10N5ATMA1 |
PNEDA Teilenummer | IPT015N10N5ATMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 255.786 |
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IPT015N10N5ATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPT015N10N5ATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPT015N10N5ATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 300A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 150A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 211nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 16000pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-HSOF-8-1 |
Paket / Fall | 8-PowerSFN |
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