IPW65R080CFDFKSA2
Nur als Referenz
| Teilenummer | IPW65R080CFDFKSA2 |
| PNEDA Teilenummer | IPW65R080CFDFKSA2 |
| Beschreibung | HIGH POWER_LEGACY |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.176 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IPW65R080CFDFKSA2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPW65R080CFDFKSA2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPW65R080CFDFKSA2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ CFD2 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 43.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 17.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5030pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 391W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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