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IR2111STR

IR2111STR

Nur als Referenz

Teilenummer IR2111STR
PNEDA Teilenummer IR2111STR
Beschreibung IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.696
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IR2111STR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIR2111STR
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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IR2111STR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH8.3V, 12.6V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)250mA, 500mA
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)80ns, 40ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

60V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

130ns, 60ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

24-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

24-PDIP

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-DFN (3x3)

UCD7138DRST

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

1.08V, 1.93V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 6A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4ns, 3.5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-SON (3x3)

IXDI609CI

IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

9A, 9A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

22ns, 15ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-5

Lieferantengerätepaket

TO-220-5

UCC27519AQDBVRQ1

Texas Instruments

Hersteller

Serie

Automotive, AEC-Q100

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

SOT-23-5

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