IR2113STRPBF
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| Teilenummer | IR2113STRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IR2113STRPBF |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 44.646 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IR2113STRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IR2113STRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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IR2113STRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 3.3V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 25ns, 17ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4V ~ 15V Logikspannung - VIL, VIH 1V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4A, 4A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20ns, 15ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
