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IRD3910

IRD3910

Nur als Referenz

Teilenummer IRD3910
PNEDA Teilenummer IRD3910
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.238
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRD3910 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRD3910
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
IRD3910, IRD3910 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 97,56 KB)
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IRD3910 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.8V @ 62.8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)350ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr80µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AB, DO-5, Stud
LieferantengerätepaketDO-203AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 125°C

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

510mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

S-FLAT (1.6x3.5)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

NSR05T30P2T5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

500mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

9ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

85µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

33pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-923

Lieferantengerätepaket

SOD-923

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-50WQ03FNTRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

5.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

460mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

590pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

VS-SD1100C04L

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1170A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.31V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15mA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

B-43, Hockey PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

65PQ015

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

15V

Current - Average Rectified (Io)

65A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 65A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

18mA @ 15V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

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