Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF3707STRRPBF

IRF3707STRRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF3707STRRPBF
PNEDA Teilenummer IRF3707STRRPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.902
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF3707STRRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF3707STRRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRF3707STRRPBF, IRF3707STRRPBF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 281,89 KB)
PDFIRF3707STRLPBF Datenblatt Cover
IRF3707STRLPBF Datenblatt Seite 2 IRF3707STRLPBF Datenblatt Seite 3 IRF3707STRLPBF Datenblatt Seite 4 IRF3707STRLPBF Datenblatt Seite 5 IRF3707STRLPBF Datenblatt Seite 6 IRF3707STRLPBF Datenblatt Seite 7 IRF3707STRLPBF Datenblatt Seite 8 IRF3707STRLPBF Datenblatt Seite 9 IRF3707STRLPBF Datenblatt Seite 10 IRF3707STRLPBF Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRF3707STRRPBF Datasheet
  • where to find IRF3707STRRPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF3707STRRPBF
  • IRF3707STRRPBF PDF Datasheet
  • IRF3707STRRPBF Stock

  • IRF3707STRRPBF Pinout
  • Datasheet IRF3707STRRPBF
  • IRF3707STRRPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF3707STRRPBF Price
  • IRF3707STRRPBF Distributor

IRF3707STRRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1990pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)87W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2206pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

78W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

SPW15N60CFDFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 750µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1820pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

156W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Paket / Fall

TO-247-3

APT5014B2VRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

NTHL080N120SC1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.3V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 20V

Vgs (Max)

+25V, -15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

348W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

MTM232230L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SMini3-G1

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Kürzlich verkauft

CM453232-3R3KL

CM453232-3R3KL

Bourns

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

ATSAM3X8EA-AU

ATSAM3X8EA-AU

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP

4610X-101-332LF

4610X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 9 RES 3.3K OHM 10SIP

NAND256W3A2BZA6E

NAND256W3A2BZA6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

APT1608SGC

APT1608SGC

Kingbright

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

VN610SP-E

VN610SP-E

STMicroelectronics

RELAY SSR HI-SIDE 1CH POWERSO10

AD420ARZ-32-REEL

AD420ARZ-32-REEL

Analog Devices

IC DAC 16BIT V OR A-OUT 24SOIC

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

SSM2166SZ

SSM2166SZ

Analog Devices

IC PREAMP AUDIO MONO MIC 14SOIC

MAX3095ESE+

MAX3095ESE+

Maxim Integrated

IC RECEIVER 0/4 16SO

VLCF4020T-2R2N1R7

VLCF4020T-2R2N1R7

TDK

FIXED IND 2.2UH 1.72A 59 MOHM

SIT9102AI-243N25E200.00000X

SIT9102AI-243N25E200.00000X

SiTIME

MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD