Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF5850

IRF5850

Nur als Referenz

Teilenummer IRF5850
PNEDA Teilenummer IRF5850
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.392
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF5850 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF5850
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF5850, IRF5850 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 123,45 KB)
PDFIRF5850TR Datenblatt Cover
IRF5850TR Datenblatt Seite 2 IRF5850TR Datenblatt Seite 3 IRF5850TR Datenblatt Seite 4 IRF5850TR Datenblatt Seite 5 IRF5850TR Datenblatt Seite 6 IRF5850TR Datenblatt Seite 7 IRF5850TR Datenblatt Seite 8 IRF5850TR Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRF5850 Datasheet
  • where to find IRF5850
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF5850
  • IRF5850 PDF Datasheet
  • IRF5850 Stock

  • IRF5850 Pinout
  • Datasheet IRF5850
  • IRF5850 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF5850 Price
  • IRF5850 Distributor

IRF5850 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 15V
Leistung - max960mW
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket6-TSOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI4559ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A, 3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V

Leistung - max

3.1W, 3.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SH8MA3TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Ta), 6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC, 10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF, 480pF @ 15V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

ZXMP3F37DN8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1678pF @ 15V

Leistung - max

1.81W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI8904EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-MICRO FOOT®CSP

Lieferantengerätepaket

6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

NVMD6N03R2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 24V

Leistung - max

1.29W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Kürzlich verkauft

TAJA226K010RNJ

TAJA226K010RNJ

CAP TANT 22UF 10% 10V 1206

MC33161PG

MC33161PG

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8DIP

MAX238CWG

MAX238CWG

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 24SOIC

NC7WZ00K8X

NC7WZ00K8X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 2CH 2-INP US8

0251007.NRT1L

0251007.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

ADM3202ARUZ

ADM3202ARUZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

MBRD1035CTLG

MBRD1035CTLG

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK

ADA4805-2ARMZ-R7

ADA4805-2ARMZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

IHLP1212BZER1R5M11

IHLP1212BZER1R5M11

Vishay Dale

FIXED IND 1.5UH 3.8A 32 MOHM SMD

XC7A75T-2FGG676I

XC7A75T-2FGG676I

Xilinx

IC FPGA 300 I/O 676FBGA

SMBJ5.0CA-13-F

SMBJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

MPC8306SVMADDCA

MPC8306SVMADDCA

NXP

IC MPU MPC83XX 266MHZ 369BGA