IRF630
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| Teilenummer | IRF630 |
| PNEDA Teilenummer | IRF630 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 183.240 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF630 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF630 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRF630 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MESH OVERLAY™ II |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 75W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.5nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1116pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ITO-220 Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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