IRF6619TR1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRF6619TR1 |
| PNEDA Teilenummer | IRF6619TR1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 50.388 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF6619TR1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF6619TR1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRF6619TR1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Ta), 150A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5040pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MX |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MX |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 220A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10760pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 283W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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