IRF6802SDTRPBF
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| Teilenummer | IRF6802SDTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF6802SDTRPBF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 16A SA |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.772 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF6802SDTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF6802SDTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRF6802SDTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 13V |
| Leistung - max | 1.7W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric SA |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ SA |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 95A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V Leistung - max 462W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 95A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V Leistung - max 462W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 864pF @ 30V Leistung - max 1.4W, 1.9W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
