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IRF7205TRPBF

IRF7205TRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7205TRPBF
PNEDA Teilenummer IRF7205TRPBF
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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Voraussichtliche Lieferung Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF7205TRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7205TRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IRF7205TRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds870pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16Ohm @ 500mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3090pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

290W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247HV

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

NTD4809N-1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.6A (Ta), 58A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1456pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

110V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

SIHP12N60E-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

937pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

147W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRLR3715PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

54A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 71W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

EPM7128SQC100-10N

EPM7128SQC100-10N

Intel

IC CPLD 128MC 10NS 100QFP

JAN2N2222A

JAN2N2222A

Microsemi

TRANS NPN 50V 0.8A

ZLLS400TA

ZLLS400TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 520MA SOD323

SMBJ58A

SMBJ58A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

AT91FR40162S-CJ

AT91FR40162S-CJ

Microchip Technology

IC MCU 16/32BIT 2MB FLASH 121BGA

NC7WZ04P6X

NC7WZ04P6X

ON Semiconductor

IC INVERTER 2CH 2-INP SC70-6

SML-D12U8WT86

SML-D12U8WT86

Rohm Semiconductor

LED RED DIFFUSED 0603 SMD

SMLVT3V3

SMLVT3V3

STMicroelectronics

TVS DIODE 3.3V 10.3V SMB

EXB-2HV510JV

EXB-2HV510JV

Panasonic Electronic Components

RES ARRAY 8 RES 51 OHM 1506

T491D107K016AT

T491D107K016AT

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 16V 2917

MLX90614ESF-DCI-000-SP

MLX90614ESF-DCI-000-SP

Melexis Technologies NV

SENSOR DGTL -40C-85C TO39

XC18V04PCG44C

XC18V04PCG44C

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