Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF7380QTRPBF

IRF7380QTRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7380QTRPBF
PNEDA Teilenummer IRF7380QTRPBF
Beschreibung MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.430
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF7380QTRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7380QTRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7380QTRPBF, IRF7380QTRPBF Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 220,8 KB)
PDFIRF7380QTRPBF Datenblatt Cover
IRF7380QTRPBF Datenblatt Seite 2 IRF7380QTRPBF Datenblatt Seite 3 IRF7380QTRPBF Datenblatt Seite 4 IRF7380QTRPBF Datenblatt Seite 5 IRF7380QTRPBF Datenblatt Seite 6 IRF7380QTRPBF Datenblatt Seite 7 IRF7380QTRPBF Datenblatt Seite 8 IRF7380QTRPBF Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRF7380QTRPBF Datasheet
  • where to find IRF7380QTRPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF7380QTRPBF
  • IRF7380QTRPBF PDF Datasheet
  • IRF7380QTRPBF Stock

  • IRF7380QTRPBF Pinout
  • Datasheet IRF7380QTRPBF
  • IRF7380QTRPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF7380QTRPBF Price
  • IRF7380QTRPBF Distributor

IRF7380QTRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 25V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DI9952T

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

FDMC8032L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 20V

Leistung - max

1.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-Power33 (3x3)

DMC3016LDV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

Leistung - max

900mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

APTM20AM06SG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 150A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

325nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18500pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

DMC1030UFDBQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1003pF @ 6V

Leistung - max

1.36W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type B)

Kürzlich verkauft

S25FL208K0RMFI041

S25FL208K0RMFI041

Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

NAU7802SGI

NAU7802SGI

Nuvoton Technology

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 16SOP

S29GL256P11FFIV10

S29GL256P11FFIV10

Cypress Semiconductor

IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA

MC14040BDR2G

MC14040BDR2G

ON Semiconductor

IC COUNTER 12BIT CMOS 16SOIC

S34ML02G104TFI010

S34ML02G104TFI010

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

AT49F040-12TI

AT49F040-12TI

Microchip Technology

IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP

VO14642AABTR

VO14642AABTR

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

M24M02-DRMN6TP

M24M02-DRMN6TP

STMicroelectronics

IC EEPROM 2M I2C 1MHZ 8SO

BYG10D-E3/TR

BYG10D-E3/TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

STM6601CM2DDM6F

STM6601CM2DDM6F

STMicroelectronics

IC SUPERVISOR 3.1V 12TDFN

ST10F276Z5T3

ST10F276Z5T3

STMicroelectronics

IC MCU 16BIT 832KB FLASH 144LQFP