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IRF7901D1TR

IRF7901D1TR

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7901D1TR
PNEDA Teilenummer IRF7901D1TR
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.694
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IRF7901D1TR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7901D1TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7901D1TR, IRF7901D1TR Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 426,72 KB)
PDFIRF7901D1TR Datenblatt Cover
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IRF7901D1TR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieFETKY™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 16V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Ta), 145A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3170pF @ 25V

Leistung - max

3.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

CSD75208W1015T

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 10V

Leistung - max

750mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UFBGA, DSBGA

Lieferantengerätepaket

6-DSBGA

BUK9K13-60EX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.4nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2953pF @ 25V

Leistung - max

64W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1205, 8-LFPAK56

Lieferantengerätepaket

LFPAK56D

SH8M31GZETB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC, 40nC @ 5V, 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF, 2500pF @ 10V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 19µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V

Leistung - max

51W

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