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IRF830LPBF

IRF830LPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF830LPBF
PNEDA Teilenummer IRF830LPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
Hersteller Vishay Siliconix
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IRF830LPBF Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF830LPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRF830LPBF, IRF830LPBF Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 178,62 KB)
PDFIRF830STRR Datenblatt Cover
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IRF830LPBF Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds610pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.1W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-262-3
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

IPP048N06L G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 270µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

TK3R1E04PL,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4670pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

87W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

NVMFS5C468NLT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 28W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS220™

Paket / Fall

ISOPLUS220™

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