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IRF9358TRPBF

IRF9358TRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF9358TRPBF
PNEDA Teilenummer IRF9358TRPBF
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $6,0526
250 ---------- $5,7689
500 ---------- $5,4852
1.000 ---------- $5,2015
2.500 ---------- $4,9650
5.000 ---------- $4,7286
Auf Lager 73.791
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IRF9358TRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF9358TRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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IRF9358TRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1740pF @ 25V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2297pF @ 25V

Leistung - max

53W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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FET-Typ

4 N-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-PDIP

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

83mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

AO7600

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

900mA, 600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6

APTC60DDAM24T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Leistung - max

462W

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-40°C ~ 150°C (TJ)

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