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IRF9956

IRF9956

Nur als Referenz

Teilenummer IRF9956
PNEDA Teilenummer IRF9956
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.520
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IRF9956 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF9956
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF9956, IRF9956 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 161,7 KB)
PDFIRF9956TR Datenblatt Cover
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IRF9956 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 15V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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SI6993DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

830mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

SQJB42EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Leistung - max

48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

SSM6N68NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

84mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

129pF @ 15V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-UDFN (2x2)

SI1539DDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

700mA (Tc), 460mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

388mOhm @ 600mA, 10V, 1.07Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28pF @ 15V, 21pF @ 15V

Leistung - max

340mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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