IRFH5250TR2PBF
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| Teilenummer | IRFH5250TR2PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFH5250TR2PBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 45A PQFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.316 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFH5250TR2PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFH5250TR2PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRFH5250TR2PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 45A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7174pF @ 13V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 887pF @ 75V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 68W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO262-3 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 45µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 94W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 375A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 166nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12888pF @ 25V FET-Funktion Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.) 375W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK88 (SOT1235) Paket / Fall SOT-1235 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1425pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 36W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Isolated Tab Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 136nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5640pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 268W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
