IRFH5302DTRPBF
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| Teilenummer | IRFH5302DTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFH5302DTRPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFH5302DTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFH5302DTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRFH5302DTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3635pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PQFN (5x6) Single Die |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223-4 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
