Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFP4310ZPBF

IRFP4310ZPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRFP4310ZPBF
PNEDA Teilenummer IRFP4310ZPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 9.768
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 7 - Jul 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFP4310ZPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFP4310ZPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFP4310ZPBF Datasheet
  • where to find IRFP4310ZPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRFP4310ZPBF
  • IRFP4310ZPBF PDF Datasheet
  • IRFP4310ZPBF Stock

  • IRFP4310ZPBF Pinout
  • Datasheet IRFP4310ZPBF
  • IRFP4310ZPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRFP4310ZPBF Price
  • IRFP4310ZPBF Distributor

IRFP4310ZPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6860pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)280W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247AC
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF9204PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

56A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

224nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7676pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

143W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

FDP26N40

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3185pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

265W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

AON7210

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2380pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.2W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

BUK9611-80E,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48.8nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7149pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

182W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AO4444

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2865pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

CG0603MLC-05LE

CG0603MLC-05LE

Bourns

VARISTOR 0603

ADG702BRTZ-REEL7

ADG702BRTZ-REEL7

Analog Devices

IC SWITCH SPST SOT23-6

UVR1E101MED1TA

UVR1E101MED1TA

Nichicon

CAP ALUM 100UF 20% 25V RADIAL

SML-LX0603GW-TR

SML-LX0603GW-TR

Lumex Opto/Components Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD

BC33725TA

BC33725TA

ON Semiconductor

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

250S130-RADR

250S130-RADR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 130MA 2SMD

IM03GR

IM03GR

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY TELECOM DPDT 2A 5VDC

MAX690AESA+T

MAX690AESA+T

Maxim Integrated

IC SUPERVISOR MPU 8-SOIC

MT25QU01GBBB8E12-0SIT

MT25QU01GBBB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G SPI 166MHZ TBGA

ICM7555ISA

ICM7555ISA

Maxim Integrated

IC OSC SGL TIMER 500KHZ 8-SOIC

APXK160ARA101MF61G

APXK160ARA101MF61G

United Chemi-Con

CAP ALUM POLY 100UF 20% 16V SMD

MPX5010DP

MPX5010DP

NXP

SENSOR DIFF PRESS 1.45 PSI MAX