IRFR130ATM
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| Teilenummer | IRFR130ATM |
| PNEDA Teilenummer | IRFR130ATM |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 13A DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.952 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRFR130ATM Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFR130ATM |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRFR130ATM Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 13A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 41W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 63W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6320pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 290W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 170A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 130A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5890pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.6nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F-3FS Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 4.5A, 11V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSMT8 Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead |
