Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFR3704TRPBF

IRFR3704TRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRFR3704TRPBF
PNEDA Teilenummer IRFR3704TRPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.086
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFR3704TRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFR3704TRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFR3704TRPBF, IRFR3704TRPBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 221,06 KB)
PDFIRFR3704TRRPBF Datenblatt Cover
IRFR3704TRRPBF Datenblatt Seite 2 IRFR3704TRRPBF Datenblatt Seite 3 IRFR3704TRRPBF Datenblatt Seite 4 IRFR3704TRRPBF Datenblatt Seite 5 IRFR3704TRRPBF Datenblatt Seite 6 IRFR3704TRRPBF Datenblatt Seite 7 IRFR3704TRRPBF Datenblatt Seite 8 IRFR3704TRRPBF Datenblatt Seite 9 IRFR3704TRRPBF Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFR3704TRPBF Datasheet
  • where to find IRFR3704TRPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRFR3704TRPBF
  • IRFR3704TRPBF PDF Datasheet
  • IRFR3704TRPBF Stock

  • IRFR3704TRPBF Pinout
  • Datasheet IRFR3704TRPBF
  • IRFR3704TRPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRFR3704TRPBF Price
  • IRFR3704TRPBF Distributor

IRFR3704TRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1996pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)90W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI1305DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

860mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

290mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-70-3

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

FQD11P06TF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 38W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

460W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PLUS-220SMD

Paket / Fall

PLUS-220SMD

NDS7002A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300mW (Ta)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23 (TO-236AB)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMN2044UCB4-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

720mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-WLB1010-4

Paket / Fall

4-UFBGA, WLBGA

Kürzlich verkauft

SP0503BAHT

SP0503BAHT

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V SOT143-4

ACPL-C78A-000E

ACPL-C78A-000E

Broadcom

IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8SSO

NCP2820FCT1G

NCP2820FCT1G

ON Semiconductor

IC AMP AUDIO D 2.65W 9-FLIPCHIP

74VHC125TTR

74VHC125TTR

STMicroelectronics

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

74LCX574MTCX

74LCX574MTCX

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP

AO3407A

AO3407A

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

ISL8206MIRZ

ISL8206MIRZ

Renesas Electronics America Inc.

DC DC CONVERTER 0.6-6V 6A

PA0277NL

PA0277NL

Pulse Electronics Power

FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM

ADM3202ARN

ADM3202ARN

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

HA7-5147-2

HA7-5147-2

Renesas Electronics America Inc.

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8CERDIP

ESDA6V1L

ESDA6V1L

STMicroelectronics

TVS DIODE 5.25V SOT23-3

CDBK0520L-HF

CDBK0520L-HF

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F