Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFR9024TR

IRFR9024TR

Nur als Referenz

Teilenummer IRFR9024TR
PNEDA Teilenummer IRFR9024TR
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.462
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 12 - Jul 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFR9024TR Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFR9024TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFR9024TR, IRFR9024TR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 1.130,57 KB)
PDFIRFR9024TRR Datenblatt Cover
IRFR9024TRR Datenblatt Seite 2 IRFR9024TRR Datenblatt Seite 3 IRFR9024TRR Datenblatt Seite 4 IRFR9024TRR Datenblatt Seite 5 IRFR9024TRR Datenblatt Seite 6 IRFR9024TRR Datenblatt Seite 7 IRFR9024TRR Datenblatt Seite 8 IRFR9024TRR Datenblatt Seite 9 IRFR9024TRR Datenblatt Seite 10 IRFR9024TRR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFR9024TR Datasheet
  • where to find IRFR9024TR
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix IRFR9024TR
  • IRFR9024TR PDF Datasheet
  • IRFR9024TR Stock

  • IRFR9024TR Pinout
  • Datasheet IRFR9024TR
  • IRFR9024TR Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • IRFR9024TR Price
  • IRFR9024TR Distributor

IRFR9024TR Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds570pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NVB150N65S3F

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 540µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1999pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

192W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK-3 (TO-263)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STW20NK70Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

285mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

TK4A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

550V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.88Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SCH1434-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-SCH

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

IPC65R080CFDX1SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

Kürzlich verkauft

4816P-1-331LF

4816P-1-331LF

Bourns

RES ARRAY 8 RES 330 OHM 16SOIC

TJA1052IT/5Y

TJA1052IT/5Y

NXP

DGTL ISOLATOR 5KV 2CH CAN 16SO

USB2514BI-AEZG

USB2514BI-AEZG

Microchip Technology

IC CONTROLLER USB 36QFN

MMSZ4680T1G

MMSZ4680T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 2.2V 500MW SOD123

EN5329QI

EN5329QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-4.9V 10W

BLM18KG121TN1D

BLM18KG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

LNG995PFBW

LNG995PFBW

Panasonic Electronic Components

LED BLUE 5.8MM OVAL T/H

MC68060RC50

MC68060RC50

NXP

IC MPU M680X0 50MHZ 206PGA

RCLAMP0502N.TCT

RCLAMP0502N.TCT

Semtech

TVS DIODE 6.5V 30V SLP1210N6

SII1161CTU

SII1161CTU

Lattice Semiconductor Corporation

UXGA PANELLINK RECEIVER

1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

B3S-1002

B3S-1002

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V