Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFU1N60A

IRFU1N60A

Nur als Referenz

Teilenummer IRFU1N60A
PNEDA Teilenummer IRFU1N60A
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.254
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 29 - Jul 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFU1N60A Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFU1N60A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFU1N60A, IRFU1N60A Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 243,73 KB)
PDFIRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Cover
IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 2 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 3 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 4 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 5 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 6 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 7 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 8 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 9 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 10 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFU1N60A Datasheet
  • where to find IRFU1N60A
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix IRFU1N60A
  • IRFU1N60A PDF Datasheet
  • IRFU1N60A Stock

  • IRFU1N60A Pinout
  • Datasheet IRFU1N60A
  • IRFU1N60A Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • IRFU1N60A Price
  • IRFU1N60A Distributor

IRFU1N60A Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds229pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)36W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-251AA
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPP100N06S3-04

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

314nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14230pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

214W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

DMN3042L-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

720mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

AUIRFS3206TRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6540pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

850V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

860W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

SQD25N15-52_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

MBR0540T1G

MBR0540T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

749022011

749022011

Wurth Electronics

TRANSFORMER LAN 10/100/1000 POE

MOCD207R2M

MOCD207R2M

ON Semiconductor

OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC

PIC12F609-I/SN

PIC12F609-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1.75KB FLASH 8SOIC

66F070

66F070

Sensata-Airpax

THERMOSTAT 70 DEG NO 8-DIP

HX1188FNLT

HX1188FNLT

Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

AD7626BCPZ

AD7626BCPZ

Analog Devices

IC ADC 16BIT SAR 32LFCSP-WQ

PIC16F1786-I/SS

PIC16F1786-I/SS

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28SSOP

M24M01-RMN6P

M24M01-RMN6P

STMicroelectronics

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SO

ST62T65CM6

ST62T65CM6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 3.8KB OTP 28SOIC

ADA4870ARRZ-RL

ADA4870ARRZ-RL

Analog Devices

IC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 20PSOP3

NC7SV74K8X

NC7SV74K8X

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 1BIT US8