IRFU3707
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| Teilenummer | IRFU3707 |
| PNEDA Teilenummer | IRFU3707 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFU3707 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFU3707 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRFU3707 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 61A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 87W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | IPAK (TO-251) |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 180µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 Paket / Fall TO-220-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.3nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 939pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 140W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2920pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 147W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK56, Power-SO8 Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
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