Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRG4BC10SD

IRG4BC10SD

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC10SD
PNEDA Teilenummer IRG4BC10SD
Beschreibung IGBT 600V 14A 38W TO220AB
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.824
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 2 - Jun 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4BC10SD Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC10SD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4BC10SD, IRG4BC10SD Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 313,86 KB)
PDFIRG4BC10SD Datenblatt Cover
IRG4BC10SD Datenblatt Seite 2 IRG4BC10SD Datenblatt Seite 3 IRG4BC10SD Datenblatt Seite 4 IRG4BC10SD Datenblatt Seite 5 IRG4BC10SD Datenblatt Seite 6 IRG4BC10SD Datenblatt Seite 7 IRG4BC10SD Datenblatt Seite 8 IRG4BC10SD Datenblatt Seite 9 IRG4BC10SD Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRG4BC10SD Datasheet
  • where to find IRG4BC10SD
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRG4BC10SD
  • IRG4BC10SD PDF Datasheet
  • IRG4BC10SD Stock

  • IRG4BC10SD Pinout
  • Datasheet IRG4BC10SD
  • IRG4BC10SD Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRG4BC10SD Price
  • IRG4BC10SD Distributor

IRG4BC10SD Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)14A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 8A
Leistung - max38W
Schaltenergie310µJ (on), 3.28mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge15nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.76ns/815ns
Testbedingung480V, 8A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)28ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXGH12N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/850ns

Testbedingung

800V, 12A, 120Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

AOK40B65H2AL

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

1.17mJ (on), 540µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

61nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/117ns

Testbedingung

600V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

315ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IXGH32N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 32A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

11mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/270ns

Testbedingung

1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IXGH50N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/150ns

Testbedingung

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRG4PC50KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

104A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.61mJ (on), 840µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

63ns/150ns

Testbedingung

480V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Kürzlich verkauft

BAS40-04-7-F

BAS40-04-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23-3

SML-D12U8WT86

SML-D12U8WT86

Rohm Semiconductor

LED RED DIFFUSED 0603 SMD

1N4148-P-TR

1N4148-P-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 75V 2A DO35

AD9850BRSZ

AD9850BRSZ

Analog Devices

IC DDS 125MHZ 10BIT 28SSOP

MMBZ5254B

MMBZ5254B

ON Semiconductor

DIODE ZENER 27V 350MW SOT23-3

ADM3251EARWZ

ADM3251EARWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH RS232 20SOIC

XCF04SVOG20C

XCF04SVOG20C

Xilinx

IC PROM SRL FOR 4M GATE 20-TSSOP

021702.5MXP

021702.5MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 2.5A 250VAC 5X20MM

MC7905CT

MC7905CT

ON Semiconductor

IC REG LINEAR -5V 1A TO220AB

ADP7182AUJZ-R7

ADP7182AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN NEG ADJ 200MA 5TSOT

S2B-13-F

S2B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB

PS2801C-4-A

PS2801C-4-A

CEL

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16SSOP