IRG4BC10SDPBF
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| Teilenummer | IRG4BC10SDPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRG4BC10SDPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 14A 38W TO220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.500 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4BC10SDPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4BC10SDPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRG4BC10SDPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 14A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 18A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Leistung - max | 38W |
| Schaltenergie | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 15nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 76ns/815ns |
| Testbedingung | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 110µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/100ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 30A Leistung - max 300W Schaltenergie 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/127ns Testbedingung 960V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 64A Leistung - max 735W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 20A Leistung - max 341W Schaltenergie 480µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/170ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 21A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 3A Leistung - max 56W Schaltenergie 20µJ (on), 68µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/76ns Testbedingung 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 21ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
