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IRG4BC20W

IRG4BC20W

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC20W
PNEDA Teilenummer IRG4BC20W
Beschreibung IGBT 600V 13A 60W TO220AB
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.208
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4BC20W Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC20W
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4BC20W, IRG4BC20W Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 203,83 KB)
PDFIRG4BC20WPBF Datenblatt Cover
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IRG4BC20W Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)13A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)52A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 6.5A
Leistung - max60W
Schaltenergie60µJ (on), 80µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge26nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/110ns
Testbedingung480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

88A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/90ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

29ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268HV

FGP20N6S2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

25µJ (on), 58µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

7.7ns/87ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 60A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

16mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/600ns

Testbedingung

480V, 60A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

66nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/110ns

Testbedingung

400V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

APT15GT60BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

184W

Schaltenergie

150µJ (on), 215µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/105ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Kürzlich verkauft

EPCS4SI8N

EPCS4SI8N

Intel

IC CONFIG DEVICE 4MBIT 8SOIC

SMBJ30CA-E3/52

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

ADG419BRZ

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IC SWITCH SPDT 8SOIC

LM211DT

LM211DT

STMicroelectronics

IC VOLTAGE COMPARATOR 8-SOIC

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

ISL6612AIBZ-T

ISL6612AIBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

MC14071BD

MC14071BD

ON Semiconductor

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

PIC18F6527-I/PT

PIC18F6527-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

ESD3V3D5B-TP

ESD3V3D5B-TP

Micro Commercial Co

TVS DIODE 3.3V 12V SOD523

SMAZ18-13-F

SMAZ18-13-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 18V 1W SMA

LT3080EMS8E#PBF

LT3080EMS8E#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.1A 8MSOP

MT25QL512ABB8ESF-0SIT

MT25QL512ABB8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2