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IRG4BC30F-STRR

IRG4BC30F-STRR

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC30F-STRR
PNEDA Teilenummer IRG4BC30F-STRR
Beschreibung IGBT 600V 31A 100W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.982
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4BC30F-STRR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC30F-STRR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4BC30F-STRR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)31A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 17A
Leistung - max100W
Schaltenergie230µJ (on), 1.18mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge51nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/200ns
Testbedingung480V, 17A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

Leistung - max

55W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/190ns

Testbedingung

300V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

STGB25N40LZAG

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

435V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

26nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.1µs/4.6µs

Testbedingung

300V, 10A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

APT45GR65B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

92A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

168A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

900µJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/100ns

Testbedingung

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/75ns

Testbedingung

480V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 11A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

400µJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/180ns

Testbedingung

960V, 11A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-247-3

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