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IRG4BC30UDPBF

IRG4BC30UDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC30UDPBF
PNEDA Teilenummer IRG4BC30UDPBF
Beschreibung IGBT 600V 23A 100W TO220AB
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.268
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4BC30UDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC30UDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4BC30UDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)23A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)92A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 12A
Leistung - max100W
Schaltenergie380µJ (on), 160µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge50nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/91ns
Testbedingung480V, 12A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)42ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

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Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 12A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

160µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/73ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRGH4607DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

RJH60T04DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

208.3W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/136ns

Testbedingung

300V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

RGT40NS65DGC9

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

161W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

40nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/75ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262

HGTP10N120BN

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

320µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/165ns

Testbedingung

960V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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LT3080EST#PBF

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