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IRG4PC50F-EPBF

IRG4PC50F-EPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4PC50F-EPBF
PNEDA Teilenummer IRG4PC50F-EPBF
Beschreibung IGBT 600V 70A 200W TO247AD
Hersteller Infineon Technologies
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IRG4PC50F-EPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4PC50F-EPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4PC50F-EPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)280A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 39A
Leistung - max200W
Schaltenergie370µJ (on), 2.1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge190nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.31ns/240ns
Testbedingung480V, 39A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

77W

Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IXBH32N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

110µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/100ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IKD03N60RF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

7.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

Leistung - max

53.6W

Schaltenergie

90µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17.1nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/128ns

Testbedingung

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/60ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS220™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS220™

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