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IRG4RC10SD

IRG4RC10SD

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4RC10SD
PNEDA Teilenummer IRG4RC10SD
Beschreibung IGBT 600V 14A 38W DPAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.228
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4RC10SD Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4RC10SD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4RC10SD, IRG4RC10SD Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 725,82 KB)
PDFIRG4RC10SD Datenblatt Cover
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IRG4RC10SD Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)14A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 8A
Leistung - max38W
Schaltenergie310µJ (on), 3.28mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge15nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.76ns/815ns
Testbedingung480V, 8A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)28ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketD-Pak

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APT30GN60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

63A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

203W

Schaltenergie

525µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/155ns

Testbedingung

400V, 30A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

APT80GA90LD40

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

145A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

239A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 47A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

1652µJ (on), 1389µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/149ns

Testbedingung

600V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

APT35GN120BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

94A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Leistung - max

379W

Schaltenergie

2.315mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/300ns

Testbedingung

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

FGH75T65SHDTL4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

1.06mJ (on), 1.56mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

55ns/189ns

Testbedingung

400V, 75A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

76ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247

IXDP20N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

900µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

300V, 20A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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