Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRG4RC10SDTRPBFBTMA1

IRG4RC10SDTRPBFBTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
PNEDA Teilenummer IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
Beschreibung IGBT 600V 14A 38W DPAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.760
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4RC10SDTRPBFBTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Datasheet
  • where to find IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
  • IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 PDF Datasheet
  • IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Stock

  • IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Pinout
  • Datasheet IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
  • IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Price
  • IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Distributor

IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFRED®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)14A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 8A
Leistung - max38W
Schaltenergie310µJ (on), 3.28mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge15nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.76ns/815ns
Testbedingung480V, 8A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)28ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketD-PAK (TO-252AA)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

320A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

700A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 15V, 100A

Leistung - max

1000W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

560nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

STGWA30H65DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

HB

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

382µJ (on), 293µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

149nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/146ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

IRGP6650DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 35A

Leistung - max

306W

Schaltenergie

300µJ (on), 630µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/105ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

APT85GR120B2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

340A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 85A

Leistung - max

962W

Schaltenergie

6mJ (on), 3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

660nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/300ns

Testbedingung

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

T-MAX™

IRGR4610DTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

77W

Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

Kürzlich verkauft

SRN8040-R50Y

SRN8040-R50Y

Bourns

FIXED IND 500NH 10A 7 MOHM SMD

ATSAM3X8EA-AU

ATSAM3X8EA-AU

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP

ZHCS1000TA

ZHCS1000TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3

MC9S08LL8CLF

MC9S08LL8CLF

NXP

IC MCU 8BIT 10KB FLASH 48LQFP

AD780ARZ

AD780ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES/SHUNT PROG 8SOIC

TDA10H0SB1

TDA10H0SB1

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

NPT1012B

NPT1012B

M/A-Com Technology Solutions

HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ

MC14489BPE

MC14489BPE

NXP

IC LED DRIVER 5-CH CMOS 20-DIP

NDT454P

NDT454P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223

FM24W256-GTR

FM24W256-GTR

Cypress Semiconductor

IC FRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

STM32L452RET6

STM32L452RET6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64LQFP

S29GL256P11FFIV10

S29GL256P11FFIV10

Cypress Semiconductor

IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA