IRG7CH37K10EF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG7CH37K10EF |
| PNEDA Teilenummer | IRG7CH37K10EF |
| Beschreibung | IGBT CHIP WAFER |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.682 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG7CH37K10EF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG7CH37K10EF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRG7CH37K10EF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 80nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 28ns/122ns |
| Testbedingung | 600V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 15A Leistung - max 259W Schaltenergie 550µJ (on), 850µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/122ns Testbedingung 600V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 270ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/190ns Testbedingung 600V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 125W Schaltenergie 1.55mJ (on), 1.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 15A, 56Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-SMD Module Lieferantengerätepaket ISOPLUS-SMPD™.B |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 15A Leistung - max 130W Schaltenergie 570µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/188ns Testbedingung 400V, 15A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 129A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 25A Leistung - max 337W Schaltenergie 875µJ (on), 425µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/82ns Testbedingung 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
