IRG7CH73K10EF-R
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| Teilenummer | IRG7CH73K10EF-R |
| PNEDA Teilenummer | IRG7CH73K10EF-R |
| Beschreibung | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG7CH73K10EF-R Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG7CH73K10EF-R |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
IRG7CH73K10EF-R, IRG7CH73K10EF-R Datenblatt
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IRG7CH73K10EF-R Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 420nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 105ns/45ns |
| Testbedingung | 600V, 75A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 99A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 70A Leistung - max 350W Schaltenergie 8.8mJ (on), 9.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 380nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/250ns Testbedingung 960V, 70A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 110ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-274AA Lieferantengerätepaket SUPER-247™ (TO-274AA) |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 100W Schaltenergie 1.55mJ (on), 1.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 47nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 15A, 56Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 10A Leistung - max 110W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/150ns Testbedingung 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A Leistung - max 167W Schaltenergie 450µJ (on), 390µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/160ns Testbedingung 960V, 5A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
